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三星突破10纳米DRAM瓶颈_蜘蛛资讯网
晶圆混合键合（PUC）集成，字线材料仍在钼（Mo）与氮化钛（TiN）间评估。 竞争方面，SK海力士拟于10b节点引入4F²+VCT，美光维持现有设计，中国厂商因EUV受限则直接布局3D DRAM。工作晶片落地将显著加速三星10a开发与量产进程。
合作伙伴关系，能够充分保障印尼镍资源项目的生产需求与成本优势。未来公司将根据产业发展需求，持续夯实镍资源新能源全产业链，进一步巩固公司在红土镍矿绿色开发领域的领先地位。
。该成果为全球首次融合4F²单元结构与垂直沟道晶体管（VCT）工艺的实践。DRAM节点序列中，10a是1d之后首个实际线宽低于10纳米的节点，专家估算其线宽为9.5–9.7nm。 工作晶片代表设计与工艺方向正确，后续将进入良率提升与可靠性验证阶段。三星规划：2026年完成10a DRAM开发，2027
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发布时间：01:23:38
